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PD57006TR-E	文件：398.01 Kbytes Page：22 Pages	RF POWER transistor, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs Description ThedeviceisacommonsourceN-channel,enhancement-modelateralfield-effectRFpowertransistor.Itisdesignedforhighgain,broadbandcommercialandindustrialapplications.Itoperatesat28Vincommonsourcemodeatfrequenciesofupto1GHz.PD57006boaststheexcellentga	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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PD57006TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）类别：分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频描述：TRANSISTOR RF POWERSO-10	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
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产品属性

产品编号：
PD57006TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
945MHz
增益：
15dB
额定电流（安培）：
1A
功率 - 输出：
6W
封装/外壳：
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（成形引线）
描述：
TRANSISTOR RF POWERSO-10

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更多PD57006T供应商更新时间2024-9-22 14:00:00

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