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深圳市诚利顺电子科技有限公司

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PD57006

PD57006

STTO-270

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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司

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PD57006

10

25+

公司现货库存

深圳市诚利顺电子科技有限公司

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PD57006E

STTO-270

6500

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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送

深圳市华高宇电子有限公司

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STM

1200

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PowerSO-10RF (Formed Lead)

深圳市河锋鑫科技有限公司

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ST/意法POWERSO-10RF

368

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原装正品 可含税交易

深圳市坤融电子科技有限公司

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ST/意法PowerSO-10RF(FormedL

4200

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原装进口价格优 请找坤融电子!

深圳市云美电子科技有限公司

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ST/意法T0-

39000

24+

只做原装进口现货

深圳市腾亿芯科技有限公司

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STNA

20000

25+

原装,请咨询

深圳市华高宇电子有限公司

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ST(意法)

10000

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只做全新原装,实单来

深圳市米数科技有限公司

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ST(意法)

5321

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深圳市正纳电子有限公司

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13年 留言

ST(意法)NA

20094

26+

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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持

深圳市中飞凌科技有限公司

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STNA

60000

26+

只有原装 可配单

深圳市百诺芯科技有限公司

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ST/意法TO-59

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原装正品代理渠道价格优势

上海磐岳电子有限公司

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STTO-270

5800

2023+

进口原装,现货热卖

深圳飞弛宏科技有限公司

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ST(意法)

9000

25/26+

1+
:¥2.01

全新、原装

深圳市一线半导体有限公司

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STSOP

3245

24+

深圳市粤骏腾电子科技有限公司

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MOTOROLA/摩托罗拉TO-59

255

26+

价格优势

深圳诚思涵科技有限公司

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STTO-270

85600

18+

保证进口原装可开17%增值税发票

深圳市盈慧通电子有限公司

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ST原厂原封

16900

2511

电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价

深圳市宸远科技有限公司

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-NA

10000

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PD57006-E价格

PD57006-E价格:¥65.4290品牌:STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD57006-E多少钱,想知道PD57006-E价格是多少?参考价:¥65.4290。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD57006-E批发价格及采购报价,PD57006-E销售排行榜及行情走势,PD57006-E报价。

PD57006中文资料Alldatasheet PDF

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PD57006功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57006-01功能描述:RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY

PD57006-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57006-E_10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs

PD57006S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57006S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57006STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor N Chnl RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57006TR功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD57006TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray