| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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17年
留言
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STTO-270 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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15年
留言
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10 |
25+ |
公司现货库存 |
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17年
留言
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STTO-270 |
6500 |
25+ |
十七年专营原装现货一手货源,样品免费送 |
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2年
留言
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STM |
1200 |
19+ |
PowerSO-10RF (Formed Lead) |
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5年
留言
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ST/意法POWERSO-10RF |
368 |
1643+ |
原装正品 可含税交易 |
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7年
留言
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ST/意法PowerSO-10RF(FormedL |
4200 |
2025+ |
原装进口价格优 请找坤融电子! |
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4年
留言
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ST/意法T0- |
39000 |
24+ |
只做原装进口现货 |
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9年
留言
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STNA |
20000 |
25+ |
原装,请咨询 |
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2年
留言
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ST(意法) |
10000 |
23+ |
只做全新原装,实单来 |
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3年
留言
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ST(意法) |
5321 |
25+ |
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13年
留言
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ST(意法)NA |
20094 |
26+ |
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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5年
留言
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STNA |
60000 |
26+ |
只有原装 可配单 |
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8年
留言
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ST/意法TO-59 |
8510 |
23+ |
原装正品代理渠道价格优势 |
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8年
留言
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STTO-270 |
5800 |
2023+ |
进口原装,现货热卖 |
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9年
留言
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ST(意法) |
9000 |
25/26+ |
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全新、原装 |
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17年
留言
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STSOP |
3245 |
24+ |
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14年
留言
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MOTOROLA/摩托罗拉TO-59 |
255 |
26+ |
价格优势 |
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11年
留言
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STTO-270 |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
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4年
留言
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ST原厂原封 |
16900 |
2511 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
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2年
留言
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-NA |
10000 |
25+ |
PD57006采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
PD57006图片
PD57006-E价格
PD57006-E价格:¥65.4290品牌:STMicroelectronics
生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD57006-E多少钱,想知道PD57006-E价格是多少?参考价:¥65.4290。这里提供2026年最近一周走势,供应商今日竞价,代理商今日出价,PD57006-E批发价格及采购报价,PD57006-E销售排行榜及行情走势,PD57006-E报价。
PD57006中文资料Alldatasheet PDF
更多PD57006功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD57006-01功能描述:RF POWER TRANSISTORS THE LDMOST PLASTIC FAMILY
PD57006-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF POWER TRANS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD57006-E_10制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs
PD57006S功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD57006S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD57006STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor N Chnl RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD57006TR功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch 65 Volt 1.0 Amp RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
PD57006TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray






















