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PD57006TR-E分立半导体产品晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
厂商型号 |
PD57006TR-E |
参数属性 | PD57006TR-E 封装/外壳为PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线);包装为托盘;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频;产品描述:TRANSISTOR RF POWERSO-10 |
功能描述 | RF POWER transistor, LdmoST plastic family N-channel enhancement-mode, lateral MOSFETs |
文件大小 |
512.2 Kbytes |
页面数量 |
22 页 |
生产厂商 | STMicroelectronics |
企业简称 |
STMICROELECTRONICS【意法半导体】 |
中文名称 | 意法半导体(ST)集团官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-9-24 9:48:00 |
PD57006TR-E规格书详情
PD57006TR-E属于分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。意法半导体(ST)集团制造生产的PD57006TR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。
产品属性
更多- 产品编号:
PD57006TR-E
- 制造商:
STMicroelectronics
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 包装:
托盘
- 晶体管类型:
LDMOS
- 频率:
945MHz
- 增益:
15dB
- 额定电流(安培):
1A
- 功率 - 输出:
6W
- 封装/外壳:
PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)
- 供应商器件封装:
PowerSO-10RF(成形引线)
- 描述:
TRANSISTOR RF POWERSO-10
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
23+ |
POWERSO-10RF |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA |
25630 |
原装正品 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
N |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售! |
询价 | ||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
NA/ |
3618 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
POWERSO-10RF |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
询价 | ||
STM |
19+ |
PowerSO-10RF (Formed Lead) |
1200 |
15年光格 只做原装正品 |
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ST/意法 |
22+ |
N |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法 |
23+ |
PowerSO-10RF |
94800 |
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询价 | ||
ST |
2024+ |
PowerSO-10RF |
16000 |
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询价 |