PD57006TR-E_分立半导体产品 晶体管-FETMOSFET-射频-意法半导体

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原厂料号:PD57006TR-E品牌:STMicroelectronics

资料说明:TRANSISTOR RF POWERSO-10

PD57006TR-E是分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频。制造商STMICROELECTRONICS/意法半导体生产封装PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)的PD57006TR-E晶体管 - FET,MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件,器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括:E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

  • 芯片型号:

    PD57006TR-E

  • 规格书:

    原厂下载 下载

  • 企业简称:

    STMICROELECTRONICS【意法半导体】详情

  • 厂商全称:

    STMicroelectronics

  • 中文名称:

    意法半导体集团

  • 资料说明:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    PD57006TR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频

  • 包装:

    托盘

  • 晶体管类型:

    LDMOS

  • 频率:

    945MHz

  • 增益:

    15dB

  • 额定电流(安培):

    1A

  • 功率 - 输出:

    6W

  • 封装/外壳:

    PowerSO-10RF 裸露底部焊盘(2 条成形引线)

  • 供应商器件封装:

    PowerSO-10RF(成形引线)

  • 描述:

    TRANSISTOR RF POWERSO-10

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