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PD20015-E

ST(意法半导体)N/A

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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PD20015S-E

STMicroelectronicsN/A

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PD2001

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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PD2001

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PD20010-E

STPowerSO

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PD20015S-E

STMicroelectronicsN/A

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PD20010-E其他IC

ST/意法PowerSO

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PD20010-E

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PD20015-E

ST(意法)NA

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深圳市富达微科技有限公司

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PD20015-E

ST/意法半导体10RF-Formed-4

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

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大批量供应优势库存热卖

深圳市创新迹电子有限公司

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PD20015-E

ST/意法半导体10RF-Formed-4

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

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深圳市凯睿晟科技有限公司

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PD20010-E

ST/意法PowerSO-10R.F.(gullw

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百域芯优势 实单必成 可开13点增值税

深圳市振宏微科技有限公司

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PD20015-E

ST原厂封装

13528

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振宏微原装正品,假一罚百

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PD20010-E

ST专家PowerSO-10R.F.(gullw

29727

25+23+

绝对原装正品全新进口深圳现货

深圳市英科美电子有限公司

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

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深圳市恒凯威科技开发有限公司

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PD20015-E

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PD20015-E价格

PD20015-E价格：￥106.5323品牌：STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD20015-E多少钱，想知道PD20015-E价格是多少？参考价：￥106.5323。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD20015-E批发价格及采购报价，PD20015-E销售排行榜及行情走势，PD20015-E报价。

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PD20010-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20010S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20010STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF power tran LdmoST N-chann RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20010TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF power tran LdmoST N-chann RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20012制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V

PD20012.7/38制造商:Keystone Electronics Corp 功能描述:200MM RUB.TY.WH.1/2BOR

PD20015C功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20015-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20015S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20015STR-E制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全称:STMicroelectronics 功能描述:RF power transistor, LdmoST family

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