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PD20015-E

ST(意法半导体)N/A

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洪芯国际半导体（深圳）有限公司

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

76200

26+

全新原装进口现货,,本公司承诺原装正品假一赔百

深圳市赛尔通科技有限公司

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PD2008

模块模块

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深圳市高捷芯城科技有限公司

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PD20015S-E

STMicroelectronicsN/A

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PD2008

模块模块

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代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订

深圳市英科美电子有限公司

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

26800

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只做原装正品假一赔十为客户做到零风险

深圳市富芯乐电子科技有限公司

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PD20010-E

ST/意法PowerSO

45000

24+

只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718

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PD20010-E其他IC

ST/意法PowerSO

1000

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只做原装，欢迎询价，量大价优

深圳市芯亿发电子科技有限公司

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PD20015-E

ST/意法半导体10RF-Formed-4

20000

25+

公司只有正品,实单可谈

深圳市恒凯威科技开发有限公司

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PD20015-E

ST/意法半导体10RF-Formed-4

8860

21+

只做原装,质量保证

深圳市赛美科科技有限公司

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PD200HB160

SanRex模块

1520

全新原装正品 数量多可订货 一级代理优势

深圳市富达微科技有限公司

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PD20015-E

ST/意法半导体10RF-Formed-4

16900

24+

原厂原装，价格优势，欢迎洽谈！

深圳市纳艾斯科技有限公司

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PD20012

NIECmodule

6000

24+

全新原装正品现货 假一赔佰

深圳市川科科技有限公司

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PD20015-E

ST-意法半导体SO-10RF

2368

24+25+/26+27+
1
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1000
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华富测量(深圳)传感技术有限公司

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PD200S16

原厂模块

600

2023+

专营模块,继电器,公司原装现货

深圳市振宏微科技有限公司

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PD20015-E

ST原厂封装

13528

23+

振宏微原装正品,假一罚百

深圳市纳立科技有限公司

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PD20010-E

1983

三年内

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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司

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PD200MYN16

KYOCERA/京瓷NA

93771

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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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PD2001

DIP24

3629

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艾睿（深圳）半导体有限公司

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PD20010-E

STPowerSO-10RF(straigh

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PD20015-E价格

PD20015-E价格：￥106.5323品牌：STMicroelectronics

生产厂家品牌为STMicroelectronics的PD20015-E多少钱，想知道PD20015-E价格是多少？参考价：￥106.5323。这里提供2026年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，PD20015-E批发价格及采购报价，PD20015-E销售排行榜及行情走势，PD20015-E报价。

PD20010-E中文资料Alldatasheet PDF

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PD200制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Plate Capacitors with Contoured Rim - Class 1 Ceramic

PD20010-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20010S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 POWER R.F. RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20010STR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF power tran LdmoST N-chann RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20010TR-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF power tran LdmoST N-chann RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20012制造商:NIEC 制造商全称:Nihon Inter Electronics Corporation 功能描述:DIODE MODULE 200A/1200 to 1600V

PD20012.7/38制造商:Keystone Electronics Corp 功能描述:200MM RUB.TY.WH.1/2BOR

PD20015C功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20015-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 N-Ch, 13.6V 15W LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

PD20015S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LDMOST family RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

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