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PD20015S-E功能描述:射频MOSFET电源晶体管 RF Power Transistor LDMOST family RoHS:否制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray

产品属性

产品编号：
PD20015S-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
包装：
托盘
晶体管类型：
LDMOS
频率：
2GHz
增益：
11dB
额定电流（安培）：
7A
功率 - 输出：
15W
封装/外壳：
PowerSO-10 裸露底部焊盘
供应商器件封装：
PowerSO-10RF（直引线）
描述：
TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

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