首页>PBSS9110Z>规格书详情

PBSS9110Z数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

PBSS9110Z

参数属性

PBSS9110Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 100V 1A SOT223

功能描述

100 V, 1 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

原厂标识
Nexperia
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-5 14:00:00

人工找货

PBSS9110Z价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PBSS9110Z规格书详情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS8110Z.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High efficiency due to less heat generation
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• AEC-Q101 qualified

应用 Application

• High-voltage DC-to-DC conversion
• High-voltage MOSFET gate driving
• High-voltage motor control
• High-voltage power switches (e.g. motors, fans)
• Automotive applications

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS9110Z

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot [max] (mW)

    :1400

  • VCEO [max] (V)

    :-100

  • IC [max] (A)

    :-1

  • ICM [max] (A)

    :-3

  • hFE [min]

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :100

  • RCEsat [typ] (mΩ)

    :170

  • RCEsat [max] (mΩ)

    :320

  • VCEsat [max] (mV)

    :-320

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEXPERIA/安世
20+
SOT-223
120000
原装正品 可含税交易
询价
恩XP
2021+
SOT223
9000
原装现货,随时欢迎询价
询价
恩XP
17+
NA
6200
100%原装正品现货
询价
NK/南科功率
2025+
SOT-223
986966
国产
询价
ICT
24+
DIP24
13718
只做原装 公司现货库存
询价
恩XP
2511
N/A
6000
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价
NEXPERIA/安世
24+
SOT-223
503325
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
恩XP
23+
SOT-223
11846
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十
询价
恩XP
24+
SOT-223
10200
新进库存/原装
询价
NEXPERIA/安世
2019+
SOT-223
78550
原厂渠道 可含税出货
询价