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R9110	文件：177.64 Kbytes Page：4 Pages	PHOTOMULTIPLIERTUBEHighSensitivityandLowerDarkCurrent	HAMAMATSUHamamatsu Photonics Co.,Ltd. 滨松光子滨松光子学株式会社	HAMAMATSU
SA9110A	文件：183.01 Kbytes Page：18 Pages	MONOCHIPTHREEPHASEBIDIRECTIONAL DESCRIPTION TheSAMESSA9110AThreePhasebidirectionalenergymeteringintegratedcircuithasanintegratedLiquidCrystalDisplay(LCD)driverfora7digit(7segment)displayaswellas4multipletariffregisters.TheSA9110Aperformstheactivepowercalculation. FEATURES ■Performsbidir	SAMES Sames	SAMES
SFM9110	文件：236.45 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFM9110	文件：241.94 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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SFR9110	文件：321.07 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SFR9110TF	文件：258.73 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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详细参数

型号：
PBSS9110Y
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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