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SFU9110	文件：253.17 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET FEATURES ●AvalancheRuggedTechnology ●RuggedGateOxideTechnology ●LowerInputCapacitance ●ImprovedGateCharge ●ExtendedSafeOperatingArea ●LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=-100V ●LowerRDS(ON):0.912Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SFU9110	文件：345.24 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
SGM9110	文件：542.71 Kbytes Page：10 Pages	8MHzRail-to-RailCompositeVideoDriverwith6dBGain PRODUCTDESCRIPTION TheSGM9110issinglerail-to-rail3-poleoutputreconstructionfilterwitha-3dBbandwidthof8MHzandaslewrateof40V/µs.Operatingfromsinglesuppliesrangingfrom+2.5Vto+5.5Vandsinkinganultra-low2.65mAquiescentcurrent,theSGM9110isideallysuitedforlowp	SGMICROSG Micro Corp 圣邦股份圣邦微电子（北京）股份有限公司	SGMICRO
SI9110	文件：107.71 Kbytes Page：8 Pages	High-VoltageSwitchmodeControllers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9110	文件：167.21 Kbytes Page：9 Pages	High-VoltageSwitchmodeControllers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9110DJ	文件：167.21 Kbytes Page：9 Pages	High-VoltageSwitchmodeControllers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9110DJ	文件：107.71 Kbytes Page：8 Pages	High-VoltageSwitchmodeControllers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI9110DY	文件：107.71 Kbytes Page：8 Pages	High-VoltageSwitchmodeControllers	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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SIHFD9110	文件：1.52087 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedinmultiplecombinat	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
PBSS9110Y
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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