首页>PBSS5630PA>规格书详情

PBSS5630PA数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

PDF无图
厂商型号

PBSS5630PA

参数属性

PBSS5630PA 封装/外壳为3-PowerUDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 30V 6A 3HUSON

功能描述

30 V, 6 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

3-PowerUDFN

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

原厂标识
数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 9:38:00

人工找货

PBSS5630PA价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

PBSS5630PA规格书详情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor, encapsulated in an ultra thin SOT1061 leadless small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package with medium power capability.
NPN complement: PBSS4630PA.

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors
• Exposed heat sink for excellent thermal and electrical conductivity
• Leadless small SMD plastic package with medium power capability

应用 Application

• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS5630PA

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :DFN2020-3

  • Size (mm)

    :2 x 2 x 0.65

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot (mW)

    :500

  • VCEO [max] (V)

    :-30

  • IC [max] (mA)

    :-6000

  • hFE [min]

    :230

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • fT [min] (MHz)

    :50

  • Automotive qualified

    :N

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
标准封装
22048
全新原装正品/价格优惠/质量保障
询价
恩XP
25+
DFN
54648
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
询价
恩XP
22+
SOT-1061
57000
只做原装正品
询价
恩XP
22+
DFN
12000
只做原装、原厂优势渠道、假一赔十
询价
恩XP
24+
QFN
20000
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!!
询价
恩XP
NA
8560
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
询价
恩XP
1050+
SOT106
50
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
询价
恩XP
2450+
SOT1061
8850
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!!
询价
恩XP
24+
DFN
990000
明嘉莱只做原装正品现货
询价
恩XP
2511
8484
电子元器件采购降本 30%!盈慧通原厂直采,砍掉中间差价
询价