PBSS5230T中文资料30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBSS5230T |
| 参数属性 | PBSS5230T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS PNP 30V 2A TO236AB |
| 功能描述 | 30 V, 2 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-18 10:39:00 |
| 人工找货 | PBSS5230T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBSS5230T规格书详情
描述 Description
PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement: PBSS4230T.
特性 Features
• Low collector-emiter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability: IC and ICM
• Higher efficiency leading to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• DC-to-DC conversion
• Supply line switching
• Battery charger
• LCD backlighting
• Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs)
• Inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors)
技术参数
- 制造商编号
：PBSS5230T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：PNP
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：-30
- IC [max] (mA)
：-2000
- hFE [min]
：300
- Tj [max] (°C)
：150
- fT [min] (MHz)
：100
- Automotive qualified
：Y
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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