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SI4420	文件：1.42884 Mbytes Page：33 Pages	Noalignmentrequiredinproduction	SILABS Silicon Laboratories	SILABS
SI4420BDY	文件：92.54 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel,30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4420BDY	文件：103.88 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4420BDY	文件：186.8 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4420BDY	文件：185.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4420DY	文件：113.81 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®powerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO	IRF International Rectifier	IRF
SI4420DY	文件：92.54 Kbytes Page：1 Pages	N-Channel,30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI4420DY	文件：254.01 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusingTrenchMOS™1technology. Productavailability: Si4420DYinSOT96-1(SO8). Features ■Lowon-stateresistance ■Fastswitching ■TrenchMOS™technology. Applications ■DCtoDCconvertors ■DCmotor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI4420DY	文件：281.88 Kbytes Page：3 Pages	SingleN-ChannelLogicLevelPowerTrenchaMOSFET GeneralDescription ThisN-ChannelLogicLevelMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor’sadvancedPowerTrenchprocessthathasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistanceandyetmaintainsuperiorswitchingperformance. Thisdeviceiswellsuitedforlowvoltageandbattery	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
SI4420DYPBF	文件：119.92 Kbytes Page：8 Pages	HEXFETPowerMOSFET Description ThisN-channelHEXFET®powerMOSFETisproducedusingInternationalRectifiersadvancedHEXFETpowerMOSFETtechnology.Thelowon-resistanceandlowgatechargeinherenttothistechnologymakethisdeviceidealforlowvoltageorbatterydrivenpowerconversionapplications. TheSO	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
PBSS4420D
功能描述：
两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	PBSS4420D	NEXPERIA/安世	25+	SOT457	600000	NEXPERIA/安世全新特价PBSS4420D即刻询购立享优惠#长期有排单订	询价
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