PBSS4350T中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
PBSS4350T |
| 参数属性 | PBSS4350T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个；产品描述：TRANS NPN 50V 2A TO236AB |
| 功能描述 | 50 V; 3 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| 文件大小 |
368.74 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | NXP Semiconductors |
| 企业简称 |
nxp【恩智浦】 |
| 中文名称 | 恩智浦半导体公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-5-6 22:30:00 |
PBSS4350T规格书详情
DESCRIPTION
NPN low VCEsattransistor in a SOT23 plastic package. PNP complement: PBSS5350T.
FEATURES
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat and corresponding low RCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain
• Improved efficiency due to reduced heat generation.
APPLICATIONS
• Power management applications
• Low and medium power DC/DC convertors
• Supply line switching
• Battery chargers
• Linear voltage regulation with low voltage drop-out(LDO).
产品属性
- 产品编号：
PBSS4350TVL
- 制造商：
Nexperia USA Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型：
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
370mV @ 300mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 1A，2V
- 频率 - 跃迁：
100MHz
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
TO-236AB
- 描述：
TRANS NPN 50V 2A TO236AB
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP |
2020+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
NXP |
20+ |
SOT-23 |
43000 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
2021/2022+ |
NA |
6000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
NA |
12000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
22+ |
SOT-23-3 |
12680 |
询价 | |||
NXP/恩智浦 |
24+ |
SOT23 |
880000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
2022 |
SOT-23 |
80000 |
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询 |
询价 | ||
NXP |
2023+ |
SOT223 |
8800 |
正品渠道现货 终端可提供BOM表配单。 |
询价 | ||
NXP/恩智浦 |
20+ |
SMD |
3000 |
原装现货 |
询价 | ||
NXP(恩智浦) |
23+ |
SOT223 |
38316 |
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐 |
询价 |
