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PBSS4160PANS	文件：762.59 Kbytes Page：19 Pages	60V,1ANPN/NPNlowVCEsat(BISS)transistor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160QA	文件：266.2 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor	ETC	ETC
PBSS4160QA	文件：744.15 Kbytes Page：17 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaleadlessultrasmall DFN1010D-3(SOT1215)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackagewithvisible andsolderablesidepads. PNPcomplement:PBSS5160QA. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160QA-Q	文件：296.09 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaleadlessultrasmallDFN1010D-3(SOT1215)Surface-Mounted Device(SMD)plasticpackagewithvisibleandsolderablesidepads. 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollectorcurrentcapabi	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160T	文件：111.1 Kbytes Page：10 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor DESCRIPTION NPNlowVCEsattransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160T. FEATURES •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprinted-circuitboardarearequired •	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4160T	文件：948.33 Kbytes Page：12 Pages	LowVCEsat(BISS)transistors	PHIPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	PHI
PBSS4160T	文件：466.31 Kbytes Page：6 Pages	SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage Descriptions SiliconNPNtransistorinaSOT-23PlasticPackage. Features LowVCE(sat),highcurrent. Applications Generalpurposeswitchingandmuting,LCDback-lighting,supplylineswitchingcircuits.	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN
PBSS4160T	文件：852.82 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducesprint	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160T-Q	文件：257.81 Kbytes Page：12 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinasmallSOT23plasticpackage.PNPcomplement:PBSS5160T-Q. 2.Featuresandbenefits •Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highefficiency,reducesheatgeneration •Reducespri	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4160U	文件：211.39 Kbytes Page：14 Pages	60V,1ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT323(SC-70)SurfaceMountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS5160U. Features ■Lowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapability:ICandICM ■Highcol	ETC	ETC

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