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PBSS4041PZ数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

PBSS4041PZ

参数属性

PBSS4041PZ 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 5.7A SOT223

功能描述

60 V, 5.7 A PNP low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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PBSS4041PZ规格书详情

描述 Description

PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBSS4041NZ.

特性 Features

• Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• High energy efficiency due to less heat generation
• AEC-Q101 qualified
• Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

应用 Application

• Loadswitch
• Battery-driven devices
• Power management
• Charging circuits
• Power switches (e.g. motors, fans)

技术参数

  • 制造商编号

    :PBSS4041PZ

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity

    :PNP

  • Ptot (mW)

    :770

  • VCEO [max] (V)

    :-60

  • IC [max] (mA)

    :-5700

  • hFE [min]

    :200

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • Automotive qualified

    :N

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