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PBSS4041NT	文件：302.84 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BK；Package：SOT23；60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanfor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NT-Q	文件：346.02 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BK；Package：SOT23；60 V, 3.8 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PT-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NT_15	文件：189.5 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4041NT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3.8A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4041NX	文件：726.38 Kbytes Page：14 Pages	60V,6.2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Technicalsummary NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PX. Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollector	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NZ	文件：747.94 Kbytes Page：15 Pages	60V,7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PZ. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturation voltageVCEsat ■Highcollectorcurren	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NZ-Q	文件：289.24 Kbytes Page：14 Pages	60V,7ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NZ-Q	文件：372.01 Kbytes Page：15 Pages	60V,7ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041PT	文件：304.66 Kbytes Page：16 Pages	60V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Featuresandbenefits Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041PT-Q	文件：340.3 Kbytes Page：15 Pages	60V,2.7APNPlowVCEsattransistor 1.Generaldescription PNPlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4041NT-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
PBSS4041NT
功能描述：
两极晶体管 - BJT BISS Transistor Load Switch
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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