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PBSS4041NT	文件：189.5 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PT. Features ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■HighcollectorcurrentcapabilityICandIC	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
PBSS4041NT	文件：302.84 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BK；Package：SOT23；60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor Features Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat HighcollectorcurrentcapabilityICandICM Highcollectorcurrentgain(hFE)athighIC Highenergyefficiencyduetolessheatgeneration AEC-Q101qualified SmallerrequiredPrinted-CircuitBoard(PCB)areathanfor	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NT-Q	文件：346.02 Kbytes Page：15 Pages	Marking：BK；Package：SOT23；60 V, 3.8 A NPN low VCEsat transistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT23smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PT-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Highcollectorcurre	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NT_15	文件：189.5 Kbytes Page：14 Pages	60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
PBSS4041NT,215	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 60V 3.8A TO236AB	Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.	Nexperia USA Inc.
PBSS4041NX	文件：726.38 Kbytes Page：14 Pages	60V,6.2ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Technicalsummary NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinamediumpowerandflatleadSOT89(SC-62)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PX. Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •Highcollector	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NZ	文件：747.94 Kbytes Page：15 Pages	60V,7ANPNlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription NPNlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PZ. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturation voltageVCEsat ■Highcollectorcurren	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NZ-Q	文件：289.24 Kbytes Page：14 Pages	60V,7ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041NZ-Q	文件：372.01 Kbytes Page：15 Pages	60V,7ANPNlowVCEsattransistor 1.Generaldescription NPNlowVCEsattransistorinaSOT223(SC-73)mediumpowerSurface-MountedDevice(SMD) plasticpackage. PNPcomplement:PBSS4041PZ-Q 2.Featuresandbenefits •Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat •HighcollectorcurrentcapabilityICandICM •Hig	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
PBSS4041PT	文件：191.3 Kbytes Page：15 Pages	60V,2.7APNPlowVCEsat(BISS)transistor Generaldescription PNPlowVCEsatBreakthroughInSmallSignal(BISS)transistorinaSOT23(TO-236AB)smallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. NPNcomplement:PBSS4041NT. Featuresandbenefits ■Verylowcollector-emittersaturationvoltageVCEsat ■Highcollectorcurrentcapabil	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp

详细参数

型号：
PBSS4041NT
制造商：
NXP Semiconductors
功能描述：
TRANSISTORNPN60V3.8ASOT23
功能描述：
TRANSISTOR,NPN,60V,3.8A,SOT23
功能描述：
TRANSISTOR,NPN,60V,3.8A,SOT23; Transistor
Polarity：
NPN; Collector Emitter Voltage
V(br)ceo：
60V; Transition Frequency Typ
ft：
175MHz; Power Dissipation
Pd：
390mW; DC Collector
Current：
3.8A; DC Current Gain
hFE：
500; No. of
Pins：
3 ;RoHS
Compliant：
Yes

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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