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PBSS4041NT分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

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厂商型号

PBSS4041NT

参数属性

PBSS4041NT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 60V 3.8A TO236AB

功能描述

60 V, 3.8 A NPN low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

189.5 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

恩XP

数据手册

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更新时间

2025-11-28 10:48:00

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PBSS4041NT规格书详情

General description

NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT23 (TO-236AB) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

PNP complement: PBSS4041PT.

特性 Features

■ Very low collector-emitter saturation voltage VCEsat

■ High collector current capability IC and ICM

■ High collector current gain (hFE) at high IC

■ High energy efficiency due to less heat generation

■ AEC-Q101 qualified

■ Smaller required Printed-Circuit Board (PCB) area than for conventional transistors

Applications

■ Loadswitch

■ Battery-driven devices

■ Power management

■ Charging circuits

■ Power switches (e.g. motors, fans)

产品属性

  • 产品编号:

    PBSS4041NT,215

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    300mV @ 200mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    120 @ 2A,2V

  • 频率 - 跃迁:

    175MHz

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS NPN 60V 3.8A TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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