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PBSS4032PT-Q中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

PBSS4032PT-Q

功能描述

30 V, 2.4 A PNP low VCEsat transistor

丝印标识

BN

封装外壳

SOT23

文件大小

280.35 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 23:00:00

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PBSS4032PT-Q规格书详情

1. General description

PNP low VCEsat transistor in a SOT23 small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.

NPN complement: PBSS4032NT-Q

2. Features and benefits

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat

• Optimized switching time

• High collector current capability IC and ICM

• High collector current gain (hFE) at high IC

• High energy efficiency due to less heat generation

• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications

3. Applications

• DC-to-DC conversion

• Battery-driven devices

• Power management

• Charging circuits

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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