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PBRP113ZT中文资料PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW数据手册恩XP规格书

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厂商型号

PBRP113ZT

参数属性

PBRP113ZT 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB

功能描述

PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kW, R2 = 10 kW

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

制造商

恩XP

中文名称

N智浦

数据手册

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更新时间

2025-9-26 18:50:00

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技术参数

  • 产品编号:

    PBRP113ZT,215

  • 制造商:

    ETC

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 晶体管类型:

    PNP - 预偏压

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    230 @ 300mA,5V

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    750mV @ 6mA,600mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    500nA

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    TO-236AB

  • 描述:

    TRANS PREBIAS PNP 40V TO236AB

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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