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PBRN123YT-Q规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBRP123YT-Q
特性 Features
• 600 mA output current capability
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current gain hFE
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• ± 10 % resistor ratio tolerance
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
• Digital application in automotive and industrial segments
• Switching loads
• Medium current peripheral driver
技术参数
- 制造商编号
：PBRN123YT-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- IC [max] (mA)
：600
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- R2 (typ) (kΩ)
：10
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
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NEXPERIA/安世 |
21+ |
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9000 |
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PHI |
05+ |
SOT23 |
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24+ |
SOT-23 |
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NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
51000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
原厂原封 |
3000 |
订货1周 原装正品 |
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SOT23 |
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