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PBRN123ET-Q中文资料40 V, 600 mA NPN PB RET; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ数据手册Nexperia规格书
PBRN123ET-Q规格书详情
描述 Description
NPN low VCEsat Performance-Based (PB) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBRP123ET-Q
特性 Features
• 600 mA output current capability
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current gain hFE
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• ± 10 % resistor ratio tolerance
• Qualified according to AEC-Q101 and recommended for use in automotive applications
应用 Application
• Digital application in automotive and industrial segments
• Switching loads
• Medium current peripheral driver
技术参数
- 制造商编号
：PBRN123ET-Q
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- IC [max] (mA)
：600
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- R2 (typ) (kΩ)
：2.2
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：40
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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