PBRN123YT中文资料NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBRN123YT |
| 参数属性 | PBRN123YT 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS NPN 250MW TO236AB |
| 功能描述 | NPN 800 mA, 40 V BISS RETs; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 10 kOhm |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 12:01:00 |
| 人工找货 | PBRN123YT价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBRN123YT规格书详情
描述 Description
800 mA NPN low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 plastic package.
特性 Features
• 800 mA output current capability
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current gain hFE
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• +-10 pct resistor ratio tolerance
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Digital application in automotive and industrial segments
• Switching loads
• Medium current peripheral driver
技术参数
- 制造商编号
：PBRN123YT
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- IO [max] (mA)
：600
- R1 (typ) (kΩ)
：2.2
- R2 (typ) (kΩ)
：10
- Channel type
：NPN
- Ptot (mW)
：250
- VCEO (V)
：40
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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