PBRP113ET数据手册分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置规格书PDF

厂商型号 |
PBRP113ET |
参数属性 | PBRP113ET 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极(BJT)-单预偏置;产品描述:TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB |
功能描述 | PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 kOhm, R2 = 1 kOhm |
封装外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-8 20:00:00 |
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PBRP113ET规格书详情
描述 Description
800 mA PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) Resistor-Equipped Transistor (RET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
NPN complement: PBRN113ET.
特性 Features
• 800 mA repetitive peak output current
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High current gain hFE
• Reduces component count
• Built-in bias resistors
• Reduces pick and place costs
• Simplifies circuit design
• +-10 pct resistor ratio tolerance
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Digital application in automotive and industrial segments
• Switching loads
• Medium current peripheral driver
技术参数
- 制造商编号
:PBRP113ET
- 生产厂家
:Nexperia
- Package name
:SOT23
- Size (mm)
:2.9 x 1.3 x 1
- IO [max] (mA)
:600
- R1 (typ) (kΩ)
:1
- R2 (typ) (kΩ)
:1
- Channel type
:PNP
- Ptot (mW)
:250
- VCEO (V)
:40
- Tj [max] (°C)
:150
- Automotive qualified
:N
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
NEXPERIA/安世 |
24+ |
原厂原封可拆样 |
65258 |
百分百原装现货,实单必成 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
21+ |
NA |
9000 |
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询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT-23 |
25000 |
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询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
SOT23 |
51000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA |
23+ |
原厂原封 |
3000 |
订货1周 原装正品 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
78000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
NEXPERIA/安世 |
2022+ |
3000 |
6600 |
只做原装,假一罚十,长期供货。 |
询价 | ||
PHI |
23+ |
SOT23 |
5500 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
Nexperia(安世) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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询价 | ||
TI/德州仪器 |
23+ |
SOT23-5 |
69820 |
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询价 |