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PBHV8115TLH中文资料150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat BISS transistor数据手册Nexperia规格书
| 厂商型号 |
PBHV8115TLH |
| 参数属性 | PBHV8115TLH 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 150V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat BISS transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 11:01:00 |
| 人工找货 | PBHV8115TLH价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV8115TLH规格书详情
描述 Description
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006B-3 (SOT883B) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• Small SMD plastic package
• AEC-Q101 qualified
应用 Application
• Power management
• LCD backlighting
• LED driver for LED chain module
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
技术参数
- 制造商编号
：PBHV8115TLH
- 生产厂家
：Nexperia
- Package name
：SOT23
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Polarity
：NPN
- Ptot (mW)
：300
- VCEO [max] (V)
：150
- IC [max] (mA)
：1000
- hFE [min]
：70
- Tj [max] (°C)
：150
- Automotive qualified
：N
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TI/德州仪器 |
23+ |
MSOP8 |
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询价 | ||
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SOT23 |
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恩XP |
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NEXPERIA/安世 |
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SOT-23 |
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NEXPERIA/安世 |
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NEXPERIA/安世 |
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