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PBHV8110DW数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

厂商型号 |
PBHV8110DW |
参数属性 | PBHV8110DW 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 1A SOT223 |
功能描述 | 低电压双极晶体管 |
封装外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
制造商 | Panjit Pan Jit International Inc. |
中文名称 | 強茂 強茂股份有限公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-11 17:46:00 |
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PBHV8110DW规格书详情
简介
PBHV8110DW属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的PBHV8110DW晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 产品编号:
PBHV8110DW-AU_R2_000A1
- 制造商:
Panjit International Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
- 包装:
卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 晶体管类型:
NPN
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):
450mV @ 100mA,1A
- 电流 - 集电极截止(最大值):
500nA(ICBO)
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
140 @ 150mA,2V
- 频率 - 跃迁:
100MHz
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-261-4,TO-261AA
- 供应商器件封装:
SOT-223
- 描述:
TRANS NPN 100V 1A SOT223
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT/强茂 |
2511 |
SOT-223 |
360000 |
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询价 | ||
恩XP |
23+ |
NA |
20094 |
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恩XP |
23+ |
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