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PBHV2160Z中文资料600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor数据手册Nexperia规格书

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厂商型号

PBHV2160Z

参数属性

PBHV2160Z 封装/外壳为TO-261-4,TO-261AA;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 600V 0.1A SOT223

功能描述

600 V, 0.1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor

封装外壳

TO-261-4,TO-261AA

制造商

Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 23:00:00

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PBHV2160Z规格书详情

描述 Description

NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a SOT223 (SC-73) medium power Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
PNP complement: PBHV3160Z

特性 Features

• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability
• High collector current gain hFE at high IC

应用 Application

• Electronic ballast for fluorecent lighting
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• HID front lighting
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)

技术参数

  • 制造商编号

    :PBHV2160Z

  • 生产厂家

    :Nexperia

  • Package name

    :SC-73

  • Size (mm)

    :6.5 x 3.5 x 1.65

  • Polarity

    :NPN

  • Ptot (mW)

    :650

  • VCEO [max] (V)

    :600

  • IC [max] (mA)

    :100

  • hFE [min]

    :70

  • Tj [max] (°C)

    :150

  • Automotive qualified

    :N

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