PBHV8115T数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个规格书PDF
| 厂商型号 |
PBHV8115T |
| 参数属性 | PBHV8115T 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 150V 1A TO236AB |
| 功能描述 | 150 V, 1 A NPN high-voltage low VCEsat (BISS) transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | Nexperia Nexperia B.V. All rights reserved |
| 中文名称 | 安世 安世半导体(中国)有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 8:50:00 |
| 人工找货 | PBHV8115T价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
PBHV8115T规格书详情
描述 Description
NPN high-voltage low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. PNP complement: PBHV9115T.
特性 Features
• High voltage
• Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
• High collector current capability IC and ICM
• High collector current gain (hFE) at high IC
• AEC-Q101 qualified
• Small SMD plastic package
应用 Application
• LED driver for LED chain module
• LCD backlighting
• High Intensity Discharge (HID) front lighting
• Automotive motor management
• Hook switch for wired telecom
• Switch Mode Power Supply (SMPS)
技术参数
- 制造商编号
：PBHV8115T
- 生产厂家
：Nexperia
- Package version
：SOT23
- Package name
：TO-236AB
- Size (mm)
：2.9 x 1.3 x 1
- Product status
：Production
- Polarity
：NPN
- P_tot [max] (mW)
：300
- V_CEO [max] (V)
：150
- I_C [max] (A)
：1
- V_CEsat [max] (mV)
：350
- h_FE [min]
：100
- f_T [typ] (MHz)
：30
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ADI |
23+ |
SOT-23 |
7000 |
询价 | |||
恩XP |
23+ |
SOT23 |
6500 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
询价 | ||
恩XP |
22+23+ |
SOT23 |
8000 |
新到现货，只做原装进口 |
询价 | ||
NEXP |
2022+PB |
SOT-23 |
6000 |
询价 | |||
恩XP |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
25+ |
SOT-23 |
90000 |
全新原装现货库存 |
询价 | ||
Nexperia |
2022+ |
原厂原包装 |
8600 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
恩XP |
24+ |
SOT23 |
42000 |
只做原装进口现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
23+ |
SOT-23 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
询价 | ||
NEXPERIA/安世 |
24+ |
SOT-23 |
60100 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
询价 |
