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STP6NM60N

文件：698.48 Kbytes

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丝印：P6NM60N；Package：TO-220；N-channel 600 V, 0.85 ?? 4.6 A MDmesh??II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAK

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

P6NM60N

文件：1.10719 Mbytes

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N-Channel 650V (D-S) Power MOSFET

文件：1.10719 Mbytes 页数：10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

详细参数

  • 型号：

    P6NM60N

  • 功能描述：

    MOSFET N Ch 600V 0.85 Ohm 4.6A

  • RoHS：

    否

  • 制造商：

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性：

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压：

    650 V

  • 闸/源击穿电压：

    25 V

  • 漏极连续电流：

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）：

    0.014 Ohms

  • 配置：

    Single

  • 安装风格：

    Through Hole

  • 封装/箱体：

    Max247

  • 封装：

    Tube

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更多P6NM60N供应商 更新时间2025-8-8 15:30:00

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