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NXH80B120H2Q0SNG	文件：246.34 Kbytes Page：10 Pages	Q0 - Dual Boost Power Module	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH80B120H2Q0SNG	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：托盘封装/外壳：模块类别：分立半导体产品晶体管 - IGBT - 模块描述：PIM POWER MODULE	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NXH80B120H2Q0	文件：246.34 Kbytes Page：10 Pages	Q0-DualBoostPowerModule	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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产品属性

产品编号：
NXH80B120H2Q0SNG
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - IGBT - 模块
包装：
托盘
配置：
双路升压斩波器
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.5V @ 15V，40A
输入：
标准
NTC 热敏电阻：
是
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
底座安装
封装/外壳：
模块
供应商器件封装：
22-PIM/Q0BOOST（55x32.5）
描述：
PIM POWER MODULE

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