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NXH800H120L7QDSG数据手册ONSEMI中文资料规格书
NXH800H120L7QDSG规格书详情
描述 Description
The NXH800H120L7QDSG is a 1200 V 800 A rated half bridge IGBT power module. The integrated Field Stop Trench 7 IGBTs and Gen. 7 diodes provide lower conduction losses and switching losses, enabling designers to achieve high efficiency and superior reliability.
特性 Features
• Field Stop Trench 7 IGBTs & Gen.7 Diodes
• 1200 V, 800 A 2 in 1 Half Bridge Configuration IGBT Power Module
• Isolated Base Plate
• NTC Thermistor
• Solderable Pins
• Low Inductive Layout
应用 Application
• DC-AC conversion
• DC-DC conversion
• AC-DC conversion
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
24+ |
NA |
25000 |
ON全系列可订货 |
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onsemi |
25+ |
模块 |
9350 |
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ON |
1922 |
40 |
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ONSEMI |
22 |
SOP12 |
4500 |
全新、原装 |
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24+ |
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ON/安森美 |
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ON Semiconductor |
2022+ |
原厂原包装 |
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ON |
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1200 |
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ON |
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NA |
3000 |
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