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NXH35C120L2C2中文资料IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NXH35C120L2C2

参数属性

NXH35C120L2C2 封装/外壳为26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

功能描述

IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT
IGBT MOD 1200V 35A 26DIP

封装外壳

26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-26 13:13:00

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NXH35C120L2C2规格书详情

描述 Description

The NXH35C120L2C2SG is a transfer−molded power module
containing a converter−inverter−brake circuit consisting of six 35 A,
1600 V rectifiers, six 35 A, 1200 V IGBTs with inverse diodes, one
35 A, 1200 V brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.
The NXH35C120L2C2S1G is a transfer−molded power module
containing a converter−inverter circuit consisting of six 35 A, 1600 V
rectifiers, six 35 A, 1200 V IGBTs with inverse diodes, and an NTC thermistor.

特性 Features

• Low Thermal Resistance
• Improved power capability
• 6 mm Clearance Distance from Pin to Heatsink
• Simple heatsink construction without shaping
• Compact 73 mm × 40 mm × 8 mm Package
• Thinner than standard 12mm or 17mm packages. Smaller than standard 17mm packages.
• Solderable Pins
• High reliability contactsin corrosive atmosphere environments

应用 Application

• Industrial Motor Drive
• Pumps
• Fans
• Industrial Motor Drive

简介

NXH35C120L2C2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的NXH35C120L2C2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NXH35C120L2C2

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Converter Inverter (CI)

  • VBR Max (V)

    :1200

  • Rated Current (A)

    :35

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :2.2

  • Application

    :Industrial

  • Package Type

    :DIP26 67.8x40

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
onsemi(安森美)
2021+
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