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NXH300B100H4Q2F2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
NXH300B100H4Q2F2 |
参数属性 | NXH300B100H4Q2F2 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM 1500V 250KW Q2BOOST |
功能描述 | 硅/碳化硅模块,三通道飞行电容器升压1000V 100A IGBT,1200V 30A碳化硅二极管 |
封装外壳 | 模块 |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 10:08:00 |
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NXH300B100H4Q2F2规格书详情
描述 Description
The NXH300B100H4Q2 is a three channel flying capacitor boost module. Each channel contains two 1000 V, 100 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes. The module contains an NTC thermistor.
特性 Features
• Module with low thermal impedance baseplate
• Easy module mounting. Higher output power
• Solder and press-fit options
• Flexibility to support different manufacturing processes
• 1000V low VCE(SAT) fast switching IGBTs and 1200V SiC diode optimized combination for flying capacitor boost stage
• Excellent efficiency and thermal losses. Higher output power than with 1200V IGBT solutions
应用 Application
• MPPT Boost Stage
• 1500V Decentralized Utility-Scale Solar Inverter
• Energy Storage Systems
简介
NXH300B100H4Q2F2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的NXH300B100H4Q2F2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
:NXH300B100H4Q2F2
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Status
:Active
- Configuration
:with Schottky Diode
- VBR Max (V)
:1000
- Rated Current (A)
:100
- VCE(sat) Typ (V)
:1.8
- VF Typ (V)
:1.42
- Package Type
:PIM53
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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