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NXH300B100H4Q2F2数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

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厂商型号

NXH300B100H4Q2F2

参数属性

NXH300B100H4Q2F2 封装/外壳为模块;包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:PIM 1500V 250KW Q2BOOST

功能描述

硅/碳化硅模块,三通道飞行电容器升压1000V 100A IGBT,1200V 30A碳化硅二极管
PIM 1500V 250KW Q2BOOST

封装外壳

模块

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 10:08:00

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NXH300B100H4Q2F2规格书详情

描述 Description

The NXH300B100H4Q2 is a three channel flying capacitor boost module. Each channel contains two 1000 V, 100 A IGBTs, two 1200 V, 30 A SiC diodes and two 1600 V, 30 A bypass diodes. The module contains an NTC thermistor.

特性 Features

• Module with low thermal impedance baseplate
• Easy module mounting. Higher output power
• Solder and press-fit options
• Flexibility to support different manufacturing processes
• 1000V low VCE(SAT) fast switching IGBTs and 1200V SiC diode optimized combination for flying capacitor boost stage
• Excellent efficiency and thermal losses. Higher output power than with 1200V IGBT solutions

应用 Application

• MPPT Boost Stage
• 1500V Decentralized Utility-Scale Solar Inverter
• Energy Storage Systems

简介

NXH300B100H4Q2F2属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的NXH300B100H4Q2F2晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NXH300B100H4Q2F2

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :with Schottky Diode

  • VBR Max (V)

    :1000

  • Rated Current (A)

    :100

  • VCE(sat) Typ (V)

    :1.8

  • VF Typ (V)

    :1.42

  • Package Type

    :PIM53

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