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NXH800H120L7QDSG	文件：451.6 Kbytes Page：9 Pages	Half-Bridge IGBT Module, Qdual3 1200 V, 800 A GeneralDescription TheNXH800H120L7QDSGisa1200V800Aratedhalfbridge IGBTpowermodule.TheintegratedFieldStopTrench7IGBTs andGen.7diodesprovidelowerconductionlossesandswitching losses,enablingdesignerstoachievehighefficiencyandsuperior reliability. Features •	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SNXH800H120L7QDSG	文件：454.48 Kbytes Page：9 Pages	Half-BridgeIGBTModule,Qdual31200V,800A GeneralDescription TheSNXH800H120L7QDSGisa1200V800Aratedhalfbridge IGBTpowermodule.TheintegratedFieldStopTrench7IGBTs andGen.7diodesprovidelowerconductionlossesandswitching losses,enablingdesignerstoachievehighefficiencyandsuperior reliability. Features	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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Half-Bridge IGBT Module, Qdual3 1200 V, 800 A

GeneralDescription TheNXH800H120L7QDSGisa1200V800Aratedhalfbridge IGBTpowermodule.TheintegratedFieldStopTrench7IGBTs andGen.7diodesprovidelowerconductionlossesandswitching losses,enablingdesignerstoachievehighefficiencyandsuperior reliability. Features •

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Half-BridgeIGBTModule,Qdual31200V,800A

GeneralDescription TheSNXH800H120L7QDSGisa1200V800Aratedhalfbridge IGBTpowermodule.TheintegratedFieldStopTrench7IGBTs andGen.7diodesprovidelowerconductionlossesandswitching losses,enablingdesignerstoachievehighefficiencyandsuperior reliability. Features

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更多NXH800H120L7QDSG供应商更新时间2024-6-20 14:53:00

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