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NXH35C120L2C2E数据手册分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块规格书PDF

厂商型号 |
NXH35C120L2C2E |
参数属性 | NXH35C120L2C2E 封装/外壳为26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm);包装为散装;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG |
功能描述 | IGBT Module, CIB 1200 V, 35 A IGBT - DBC with enhanced thermal conductivity |
封装外壳 | 26-PowerDIP 模块(1,199",47,20mm) |
制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
中文名称 | 安森美半导体 安森美半导体公司 |
原厂标识 | ONSEMI |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-5 9:32:00 |
人工找货 | NXH35C120L2C2E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
NXH35C120L2C2E规格书详情
描述 Description
The NXH35C120L2C2ESG is a transfer−molded power module
containing a converter−inverter−brake circuit consisting of six 35 A,
1600 V rectifiers, six 35 A, 1200 V IGBTs with inverse diodes, one
35 A, 1200 V brake IGBT with brake diode and an NTC thermistor.
特性 Features
• Low Thermal Resistance
• Improved power capability
• 6mm Clearance Distance from Pin to Heatsink
• Simple heatsink construction
• Compact 73mm x 40mm x 8mm Package
• Thinner than standard 12mm or 17mm packages. Smaller than standard 17mm packages.
• Solderable Pins
• High reliability contacts in corrosive atmosphere environments
应用 Application
• Industrial Motor Drives
• Pumps
• Fans
• Industrial Motor Drives
• Heat Pumps
• HVAC
简介
NXH35C120L2C2E属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的NXH35C120L2C2E晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。
技术参数
更多- 制造商编号
:NXH35C120L2C2E
- 生产厂家
:ONSEMI
- Pb-free
:Pb
- Halide free
:H
- Status
:Active
- Configuration
:Converter Inverter Brake (CIB)
- VBR Max (V)
:1200
- Rated Current (A)
:35
- VCE(sat) Typ (V)
:1.8
- VF Typ (V)
:2.2
- Application
:Industrial
- Package Type
:DIP26 67.8x40
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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