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NX5008NBKH	文件：286.24 Kbytes Page：14 Pages	丝印：0001；Package：SOT8001；50 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET te 文件：286.24 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX5008NBKH	文件：300 bytes Page：1 Pages	50 V, N-channel Trench MOSFET N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN0606-3 (SOT8001) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. • Low threshold voltage\n• Very fast switching\n• Trench MOSFET technology\n• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM\n• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package: 0.62 x 0.62 x 0.37 mm;	Nexperia 安世	Nexperia
NX5008NBKM	文件：282.3 Kbytes Page：14 Pages	50 V, N-channel Trench MOSFET 1. General description N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3 (SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. 2. Features and benefits • Low threshold voltage • Very fast switching • Trench MOSFET tec 文件：282.3 Kbytes 页数：14 Pages	NEXPERIA 安世	NEXPERIA
NX5008NBKMYL	文件：1.033869 Mbytes Page：3 Pages	60V N-Channel Mosfet With ESD Application ® Dict logic evel interface: TTLICMOS ® Divers: rays, solenoids, lamps, hammers display, memories, transistors, tc. @ Battery operated systems ® Solid-state relays 文件：1.033869 Mbytes 页数：3 Pages	TECHPUBLIC 台舟电子	TECHPUBLIC
OM5008ST	文件：23.47 Kbytes Page：2 Pages	HERMETIC JEDEC TO-257AA HIGH EFFICIENCY, SOFT RECOVERY RECTIFIER 文件：23.47 Kbytes 页数：2 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC

技术参数

Package name：
DFN0606-3
Product status：
Production
Channel type：
N
Nr of transistors：
1
VDS [max] (V)：
50
VGS [max] (V)：
8
RDSon [max] @ VGS = 4.5 V (mΩ)：
2800
RDSon [max] @ VGS = 2.5 V (mΩ)：
3000
integrated gate-source ESD protection diodes：
Y
VESD HBM (V)：
2000
Tj [max] (°C)：
150
ID [max] (A)：
0.35
QGD [typ] (nC)：
0.11
QG(tot) [typ] @ VGS = 4.5 V (nC)：
0.46999997
Ptot [max] (W)：
0.38
VGSth [typ] (V)：
0.7
Automotive qualified：
N
Ciss [typ] (pF)：
29.999998
Coss [typ] (pF)：
2.5
Release date：
2020-09-01

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更多NX5008NBKH供应商更新时间2026-1-26 11:06:00

技术参数

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