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NX5008NBKM	文件：282.3 Kbytes Page：14 Pages	Marking：Y3；Package：SOT883；50 V, N-channel Trench MOSFET 1.Generaldescription N-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmallDFN1006-3 (SOT883)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 2.Featuresandbenefits •Lowthresholdvoltage •Veryfastswitching •TrenchMOSFETtec	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX5008NBKMYL	文件：1.033869 Mbytes Page：3 Pages	Marking：4S；Package：DFN1006-3L；60V N-Channel Mosfet With ESD Application ®Dictlogicevelinterface:TTLICMOS ®Divers:rays,solenoids,lamps,hammersdisplay, memories,transistors,tc. @Batteryoperatedsystems ®Solid-staterelays	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
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OM5008ST	文件：23.47 Kbytes Page：2 Pages	14Amp,400&600Volts,35nsectrr	IRF International Rectifier	IRF
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PB5008	文件：128.06 Kbytes Page：5 Pages	EnhancedisoCinkTMBridgeRectifiers FEATURES •ULrecognitionfilenumberE312394(QQQX2) UL1557(see*) •Enhancedhigh-currentdensitysinglein-line package •Superiorthermalconductivity •Glasspassivatedchipjunction •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompli	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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PB5008	文件：2.78314 Mbytes Page：3 Pages	BridgeRectifiers Features ULrecognition,file#£230084 Glasspassivatedchipjunction Thinsinglein-linepackage Highsurgecurrentcapability Solderdip275°Cmax.7s,perJESD22-B106	RFERFE international RFE国际公司RFE国际股份有限公司	RFE

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