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NX5008NBKM中文资料安世数据手册PDF规格书

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厂商型号

NX5008NBKM

功能描述

50 V, N-channel Trench MOSFET

丝印标识

Y3

封装外壳

SOT883

文件大小

282.3 Kbytes

页面数量

14

生产厂商

NEXPERIA Nexperia B.V. All rights reserved

中文名称

安世 安世半导体(中国)有限公司

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数据手册

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更新时间

2025-10-9 13:31:00

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NX5008NBKM规格书详情

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a leadless ultra small DFN1006-3

(SOT883) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.

2. Features and benefits

• Low threshold voltage

• Very fast switching

• Trench MOSFET technology

• ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2 kV HBM

• Leadless ultra small and ultra thin SMD plastic package

3. Applications

• Relay driver

• High-speed line driver

• Low-side loadswitch

• Switching circuits

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