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NX3008NBKW	文件：1.60431 Mbytes Page：16 Pages	30V,350mAN-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008NBKW-TP	文件：7.5701 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Application Load/PowerSwitching InterfacingSwitching BatteryManagementforUltraSmallPortable Electronics LogicLevelShift	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
NX3008PBK	文件：884.7 Kbytes Page：16 Pages	30V,230mAP-channelTrenchMOSFET	PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
NX3008PBK	文件：1.60734 Mbytes Page：16 Pages	30V,230mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT23 (TO-236AB)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESD	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBK	文件：494.65 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel30V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested APPLICATIONS •ForMobileComputing -LoadSwitch -NotebookAdaptorSwitch -DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NX3008PBKMB	文件：1.65853 Mbytes Page：15 Pages	30V,singleP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaleadlessultrasmall DFN1006B-3(SOT883B)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrench MOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFE	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKS	文件：1.62533 Mbytes Page：17 Pages	30V,200mAdualP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription DualP-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inaverysmallSOT363 (SC-88)Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFET technology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnolog	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKT	文件：1.15963 Mbytes Page：17 Pages	30V,200mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT416(SC-75) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKV	文件：1.61328 Mbytes Page：17 Pages	30V,220mAdualP-channelTrenchMOSFET	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
NX3008PBKW	文件：1.60624 Mbytes Page：16 Pages	30V,200mAP-channelTrenchMOSFET 1.1Generaldescription P-channelenhancementmodeField-EffectTransistor(FET)inasmallSOT323(SC-70) Surface-MountedDevice(SMD)plasticpackageusingTrenchMOSFETtechnology. 1.2Featuresandbenefits Veryfastswitching Lowthresholdvoltage TrenchMOSFETtechnology ESDpr	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA

详细参数

型号：
NX3008CBKV
功能描述：
MOSFET 30/30V, 400/220 MA N/P-CH TRENCH MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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