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NVMJS1D2N04CL	文件：374.42 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.2 m, 237 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK8 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：374.42 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMJS1D2N04CLTWG	文件：374.42 Kbytes Page：7 Pages	丝印：1D2N04CL；Package：LFPAK8；MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.2 m, 237 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK8 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：374.42 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMJS1D2N04CL	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET 40 V, 1.2mΩ, 237 A, Single N-Channel Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMJST1D2N04C	文件：327.79 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 1.25 m, 451 A Features • Small Footprint (5x7 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • TCPAK57 5x7 Top Cool Package • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：327.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMJST1D2N04CTXG	文件：327.79 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET – Power, Single N-Channel 40 V, 1.25 m, 451 A Features • Small Footprint (5x7 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • TCPAK57 5x7 Top Cool Package • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：327.79 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMYS1D2N04CL	文件：342.62 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single N-Channel 40 V, 1.1 m, 258 A Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • LFPAK4 Package, Industry Standard • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：342.62 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Pb-free：
Pb
AEC Qualified：
A
Halide free：
H
PPAP Capablee：
P
Status：
Active
Channel Polarity：
N-Channel
Configuration：
Single
V(BR)DSS Min (V)：
40
VGS Max (V)：
20
VGS(th) Max (V)：
2.1
ID Max (A)：
237
PD Max (W)：
188
RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)：
1.7
RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)：
1.2
Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)：
30
Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)：
74
Ciss Typ (pF)：
4600
Package Type：
LFPAK-8

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更多NVMJS1D2N04CL供应商更新时间2025-12-12 15:01:00

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