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NVMFD6H852NLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFD6H852NLT1G

功能描述

Power MOSFET 80 V, 25.5 m, 25 A, Dual N?묬hannel

丝印标识

6H852L

封装外壳

DFN8

文件大小

221.87 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-1 14:42:00

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NVMFD6H852NLT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFD6H852NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced

Optical Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
23+
DFN
5500
原厂原装正品
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23+
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