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NVMFD5C650NLT1G
厂商型号

NVMFD5C650NLT1G

功能描述

MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 4.2 m, 111 A

丝印标识

5C650L

封装外壳

DFN8

文件大小

233.21 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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NVMFD5C650NLT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFD5C650NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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