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NVMFD5C462NWFT1G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NVMFD5C462NWFT1G |
| 参数属性 | NVMFD5C462NWFT1G 包装为卷带（TR）卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA |
| 功能描述 | MOSFET ??Power, Dual N-Channel 40 V, 5.4 m, 70 A |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | DFN8 |
| 文件大小 |
231.09 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | ON Semiconductor |
| 企业简称 |
ONSEMI【安森美半导体】 |
| 中文名称 | 安森美半导体公司官网 |
| 原厂标识 | ONSEMI |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-1 20:07:00 |
| 人工找货 | NVMFD5C462NWFT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NVMFD5C462NWFT1G规格书详情
NVMFD5C462NWFT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由安森美半导体公司制造生产的NVMFD5C462NWFT1G晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
特性 Features
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
• NVMFD5C462NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical
Inspection
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
产品属性
更多- 产品编号：
NVMFD5C462NWFT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 系列：
Automotive, AEC-Q101
- 包装：
卷带（TR）卷带（TR）
- 描述：
40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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