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NVMFD5C680NLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFD5C680NLT1G

功能描述

MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 28 m, 26 A

丝印标识

5C680L

封装外壳

DFN8

文件大小

364.89 Kbytes

页面数量

7

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-10 23:00:00

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NVMFD5C680NLT1G规格书详情

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFD5C680NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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