NVMFD5C668NLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NVMFD5C668NLT1G
功能描述	MOSFET ??Power, Dual N-Channel 60 V, 6.5 m, 68 A
丝印标识	5C668L
封装外壳	DFN8
文件大小	230.69 Kbytes
页面数量	7 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
更新时间	2025-10-13 23:00:00
人工找货	NVMFD5C668NLT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

• NVMFD5C668NLWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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