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NVBG040120SC1	文件：307 Kbytes Page：8 Pages	型号：NVBG040N120SC1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NVBG040120SC1

文件：307 Kbytes

Page：8 Pages

型号：NVBG040N120SC1；Package：D2PAK-7L；Silicon Carbide (SiC) MOSFET – 40 mohm, 1200V, M1, D2PAK-7L

Features •Typ.RDS(on)=40m •UltraLowGateCharge(Typ.QG(tot)=106nC) •LowEffectiveOutputCapacitance(Typ.Coss=139pF) •100AvalancheTested •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •ThisDeviceisHalideFreeandRoHSCompliantwithexemption7a, Pb−Free2LI(onsecondleve

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