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NVH4L027N65S3F

丝印:NVH4L027N65S3F;Package:TO-247-4LD;MOSFET ??Single N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 75 A, 27.4 m

Features • Ultra Low Gate Charge & Low Effective Output Capacitance • Lower FOM (RDS(on) max. x Qg typ. & RDS(on) max. x EOSS) • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

文件:915.74 Kbytes 页数:10 Pages

ONSEMI

安森美半导体

NVH4L027N65S3F

丝印:NVH4L027N65S3F;Package:TO-247-4LD;MOSFET ??Single N-Channel, SUPERFET III, FRFET 650 V, 75 A, 27.4 m

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更多NVH4L027N65S3F供应商 更新时间2025-9-21 16:12:00