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NTMYS1D3N04C	文件：347.14 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.15 m, 252 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMYS1D3N04CTWG	文件：347.14 Kbytes Page：7 Pages	Marking：1D3N04C；Package：LFPAK；MOSFET ??Power, Single, N-Channel 40 V, 1.15 m, 252 A	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMFS1D3N04XM	文件：131.53 Kbytes Page：6 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.3m,195A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •BatteryProtection •ORing	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMJS1D3N04C	文件：346.1 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,1.3m,235A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTMJS1D3N04CTWG	文件：346.1 Kbytes Page：7 Pages	PowerMOSFET40V,1.3m,235A,SingleN?묬hannel	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFSSCH1D3N04XL	文件：431.83 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SourceDownDualCool33,WDFN940V,1.3m,207A Features •ExcellentThermalConductionbyAdvancedSource−DownCenter GateDual−CoolingPackageTechnology(3.3x3.3mm) •LowRDS(on)toMinimizeConductionLoss •LowQRRwithSoftRecoverytoMinimizeERRLossandVoltage Spike •LowQGandCapacitancetoMinimizeDrivingandSwitchingLos	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFSSCH1D3N04XL	文件：433.65 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SourceDownDualCool33,WDFN940V,1.3m,207A Features •ExcellentThermalConductionbyAdvancedSource−DownCenter GateDual−CoolingPackageTechnology(3.3x3.3mm) •LowRDS(on)toMinimizeConductionLoss •LowQRRwithSoftRecoverytoMinimizeERRLossandVoltage Spike •LowQGandCapacitancetoMinimizeDrivingandSwitchingLos	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTTFSSH1D3N04XL	文件：325.59 Kbytes Page：8 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,SourceDown,WDFN940V,1.3m,207A Features •AdvancedSource−DownPackageTechnology(3.3x3.3mm)with ExcellentThermalConduction •LowRDS(on)toMinimizeConductionLoss •LowQRRwithSoftRecoverytoMinimizeERRLossandVoltage Spike •LowQGandCapacitancetoMinimizeDrivingandSwitchingLosses •TheseDevicesar	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMFWS1D3N04XM	文件：148.22 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET-Power,SingleN-Channel,STDGate,SO8FL40V,1.3m,195A Features •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowCapacitancetoMinimizeDriverLosses •SmallFootprint(5x6mm)withCompactDesign •AECQ101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSCompliant Applications •MotorDrive •Ba	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NVMJS1D3N04C	文件：361.91 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET??Power,SingleN-Channel40V,1.3m,235A Features •SmallFootprint(5x6mm)forCompactDesign •LowRDS(on)toMinimizeConductionLosses •LowQGandCapacitancetoMinimizeDriverLosses •LFPAK8Package,IndustryStandard •AEC−Q101QualifiedandPPAPCapable •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHSComp	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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