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NTTFSSH1D3N04XL中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NTTFSSH1D3N04XL

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel, Source Down, WDFN9 40 V, 1.3 m, 207 A

丝印标识

1D3N04

封装外壳

WDFN9

文件大小

325.59 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

网址

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数据手册

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更新时间

2025-12-7 9:30:00

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NTTFSSH1D3N04XL规格书详情

特性 Features

• Advanced Source−Down Package Technology (3.3x3.3mm) with

Excellent Thermal Conduction

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Loss

• Low QRR with Soft Recovery to Minimize ERR Loss and Voltage

Spike

• Low QG and Capacitance to Minimize Driving and Switching Losses

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Applications

• High Switching Frequency DC−DC Conversion

• Synchronous Rectifier

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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