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NTMS4706N中文资料Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NTMS4706N

功能描述

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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NTMS4706N规格书详情

描述 Description

Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8

特性 Features

• Low RDS(on)
• Low Gate Charge
• Standard SO-8 Single Package
• Pb-Free Package is Available

应用 Application

• Notebooks, Graphics Cards
• Synchronous Rectification
• High Side Switch
• DC-DC Converters

技术参数

  • 型号:

    NTMS4706N

  • 功能描述:

    MOSFET 30V 10.3A N-Channel

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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