NTMS4706N中文资料Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)数据手册ONSEMI规格书
NTMS4706N规格书详情
描述 Description
Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8
特性 Features
• Low RDS(on)
• Low Gate Charge
• Standard SO-8 Single Package
• Pb-Free Package is Available
应用 Application
• Notebooks, Graphics Cards
• Synchronous Rectification
• High Side Switch
• DC-DC Converters
技术参数
- 型号:
NTMS4706N
- 功能描述:
MOSFET 30V 10.3A N-Channel
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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24+ |
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ON/安森美 |
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